PR Strip System
PR系统
议价
加入意向
- 高通量
- 渐进式等离子体源（GEN的专利）
- 低CoO
- 高时间
- 广泛的工艺应用
- 主要规格
- 3负载端口（选项：4负载端口）
- 尺寸（W×D×H）：2,430×2,603×2,300
- 300mm晶圆
- High throughput
- Progressive plasma source (patent by GEN)
- Low CoO
- High up time
- Wide process application
- Key specifications
- 3 load port (option: 4 load port)
- Dimension (W×D×H): 2,430×2,603×2,300
- 300mm wafer
